麦科信MICSIG OIP100B SigOFIT光隔离探头
麦科信MICSIG OIP B系列SigOFIT光隔离探头
带宽:DC-500MHz
共模电压: 85kVpk
直流增益精度:1%
共模抑制比:高达180dB
产品概述:
基于SigOFIT™ 技术的光隔离探头,拥有的共模抑制比和隔离电压,在其带宽范围内洞见信号的全部真相,
是判定其他 电压探头所测信号真实性的裁判。
产品特点:
最真实的信号呈现
SigOFIT光隔离探头具有的共模抑制比,在100MHz时CMRR高达128dB、在500MHz时CMRR仍然高达114dB,是判定其他电压探头所测信号真实性的裁判。
测试精度与稳定性
作为判定其他电压探头所测信号真实性的裁判,测试精度是SigOFIT光隔离探头的重要指标。SigOFIT光隔离探头,具有幅频特性,直流增益精度优于1%,底噪小于1.46mVrms,预热后零点漂移小于500μV。
第三代半导体的最佳测试手段
第三代半导体器件由于导通与关断时间很短,信号具有更快的上升沿和下降沿,信号中具有很高能量的高频谐波,SigOFIT光隔离探头在最高带宽时,仍然具有超100dB的共模抑制比,可抑制高频共模噪声所产生的震荡,所呈现的信号没有额外多余成分,是第三代半导体测试的工具。
测试氮化镓(GaN)不炸管
SigOFIT光隔离探头测试引线短且采用同轴传输,探头输入电容低至2.6pF,测试氮化镓(GaN)十分安全。
使用灵活,高效便捷
SigOFIT光隔离探头比传统高压差分探头体积更小,探头引线更精巧,使用更加灵活方便;探头响应快,上电即测,校准时间小于1秒,可实时保证精确的信号输出。
测试量程更宽
不同于高压差分探头只可以测试高压信号,SigOFIT光隔离探头通过匹配不同的衰减器,可以测试±1.25V至±5000V的差模信号,并实现满量程输出,达到很高的信噪比。
应用场景
对其他电压探头所测结果准确性、真实性存在质疑时,SigOFIT光隔离探头可作为最终裁判依据。
电源设备评估、电流并联测量、EMI 和 ESD 故障排除
电机驱动设计、功率转换器设计 、电子镇流器设计
氮化镓、碳化硅、IGBT半/全桥设备的设计与分析
高压高带宽测试应用的安全隔离测试
逆变器、UPS及开关电源的测试
宽电压、宽带测试应用
各种浮地测试
产品参数:
产品型号 | OIP100B | OIP200B | OIP500B |
带 宽 | 100MHz | 200MHz | 500MHz |
上升时间 | ≤3.5ns | ≤1.75ns | ≤700ps |
共模抑制比 | DC: 180dB 100MHz: 128dB | DC: 180dB 200MHz: 122dB | DC: 180dB 500MHz: 114dB |
差模电压 | ±5000V | ||
底 噪 | <1.46mVrms | ||
直流增益精度 | 1% | ||
共模电压 | 85kVpk |
麦科信MICSIG OIP100B SigOFIT光隔离探头